MOS管的作用和工作原理(mos管的作用)
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1、MOS管的原理:它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。
2、在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。
3、当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
4、作用:可应用于放大电路。
5、由于MOS管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
6、2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
7、常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
8、3、可以用作可变电阻。
9、4、可以方便地用作恒流源。
10、5、可以用作电子开关。
11、简介:mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。
12、是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
13、或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
14、MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。
15、在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。
16、这样的器件被认为是对称的。
17、结构特点:MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。
18、导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
19、 n沟道mos管 p沟道mos管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。
20、n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。
21、n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
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