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华为「半岛日记」主题插件也快来咯

刚做完插件小小预告下，测试完成后大家就都可以用上啦，不过插件的天气源和锁屏不是同一个（获取不到华为用的天气源），所以插件的天气显示上可能会有些差别，不知道你们喜欢吗[灵光一闪][灵光一闪]#华为#

接口设计中，反射衰减通常在高频情况下变差，这是因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短PCB走线就显得异常重要。

稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的。

PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了。

在高频电路中，必须考虑PN结电容的影响，正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容。

在高密度的场合下，由于收发信号挨在一起，很容易发生串扰，这在布线时要遵守3W原则。

即相邻PCB走线的中心线间距要大于PCB线宽的3倍，在插卡设备，接插件连接的位置，要有许多接地针，提供良好的射频回路。

双极型管是电流控制器件，通过基极较小的电流控制较大的集电极电流；MOS管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻。

三极管是靠载流子的运动来工作的，我们以NPN管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的PN结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此PN结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场）。

肖特基二极管适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低（0.2V）但是反向击穿电压较低，漏电流也较大。

抖动特性绝大部分是取决于输出芯片的特性，不过，如果PCB布线不当，电源滤波不够充分，时钟参考源太冲太大也会增加抖动成分。

信号线的匹配对抖动产生直接的影响，特别是芯片中含有倍频功能，本身相位噪声较大。

极型选择是指BJT是用PNP还是NPN管，这应该在确定电源形式时同时考虑，有些三极管的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极，在需要某极接地时应考虑这个因素。

发射极正偏，集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。

三种连接方式：共基极，共发射极（用的最多，因为电流电压、功率均可以放大），共集电极。

判别三种组态的方法：共发射极，由基极输入，集电极输出；共集电极，由基极输入，发射极输出；共基极，由发射极输入，集电极输出。

三极管主要参数：电流放大系数β，极间反向电流，集电极最大允许电流，集电极最大允许耗散功率，反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域。

因J-FET的Rgs很高，在使用时首先应注意无静电操作，否则很容易发生栅极击穿。

另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数，不能超出范围。

将J-FET当做可变电阻使用时应保证器件有正确的偏置，不能使之进入恒流区。

射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响（双电源更好）。

三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。

共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级，输出级。

共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好。

去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。

旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路。

MOS-FET在使用中除了正确选择参数以及正确的计算外，最值得强调的仍然是防静电操作问题，在电路调试、焊接、安装过程中，一定要严格按照防静电程序操作。

主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的Ib，相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。

场效应管三个铝电极：栅极g、源极s、漏极d，分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。

源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate，门一样的存在，和基极的作用差不多，其中P型衬底一般与栅极g相连。

电容基础

在电源中应用相当多种类的电容，输出和输入滤波电容、高频旁路电容、谐振缓冲电容、电磁兼容滤波电容以及振荡定时电容等等

用在电源输出和输入端的最普遍的是电解电容。可以买到不同类型电解电容，但最常应用（最价廉）是铝电解电容,常说的电解电容就是指铝电解电容(CD)。还有鉭电解电容(CA)，有固鉭和液鉭。铝电解有非常多种类，并有你所需要的电压定额和容量（mF，和数百V电压）,但尺寸比较大。

钽电容比铝电容具有好得多的高频特性，但价格贵而且电压限制在100V和容量数百μF以下。中功率电源输入最好选择铝电解电容，而输出低压采用贴片钽电容。当然贴片比插件的容量小而电压低。

定时和高频旁路通常采用陶瓷电容，有瓷介电容和瓷片电容(CC)。容量在几个pF到1μF。还能够买到MLC（多层陶瓷）型电容，多层电容的ESR极低且容量大，容量可达几百μF，可以代替钽电容。

另一类是塑料介质电容，有聚乙烯、涤纶（CL）、聚丙烯(CB)、聚四氟乙烯(CF)、聚碳酸脂等薄膜电容。特别是聚丙烯用于很高的dv/dt电路中，像准谐振变换器和缓冲电路。纸介电容(CZ)高频交流损耗大，一般只用于低频滤波电路。

印刷电路上应用最小电容和最大电阻一样，也有限制。印刷板上两个靠得很近的导体之间的分布电容，可能掩盖了你要接入的电容。所以除非特别小心处理，一般不要用小于22pF以下的电容。

在电容手册中规定了电容的等效串联电阻(ESR),或者给出规定频率（例如电解电容为120Hz）测试的损耗角tanδ＝ωCRESR。而你将它使用在高频电路中，例如用在100kHz，这时电容的ESR是多少可能使你感到为难。而ESR与频率、温度和电压定额有关。在－25℃几乎是25℃时的3倍。为预测电容的ESR，你必须知道工作频率时相差不大于1个数量级的ESR数据。

例如，一个电源100kHz的电流纹波峰峰值1A，输出电压纹波峰峰值为50mV。变化的电荷量为1A×(1/100kHz)=10μC，要是电容没有ESR，需要电容量为C=Q/U=10μC/50mV=200μF。假定采用两个100μF电解电容。100μF电容室温下典型的ESR为100mΩ。为了将纹波降低到50mV，需要ESR＝50mV/1A＝50mΩ，两个100μF并联获得（这里仅考虑ESR的影响，如果再考虑电容量和ESR一起对纹波电压影响，应当为3个100μF电容并联）。但是在－25℃时一个电容的ESR为300mΩ，实际上需要6个电容。在低温时6个电容50mV，由于电容纹波电压仅17mV，而电阻和电容的压降不同相，所以总的纹波电压大约Upp=[(502+172)]1/2=53mV。显然设计的滤波器很大。高频时ESR比电容量更主要，一般根据允许的纹波电压和预计的ESR选择电容量。

由于ESR存在，在电容充放电电流产生电阻损耗(ESR)I2，引起电容发热，这是影响电容寿命的主要因素。这里电流是有效值。

有资料介绍，就目前生产的铝电解电容在很大电压范围内，大量统计得到常温下ESR×C=50~85×10－6(s)。一般初始计算时取其平均值65×10－6(s)。再根据允许电压纹波选择电容量。选择了电容量以后，再根据电压定额修正ESR值。提供闭环稳定性设计。

电解电容的寿命与温度有关，电容的寿命随温度上升10℃下降1倍，所以85℃寿命2000小时，而在平均温度25℃时寿命为2000×26=128000=16年。这里用的是平均温度，不是最大温度，也不是额定温度。除此之外，你将发现卖不到满足整个寿命规范的电容。

因为电容老化与温度紧密相关，所以电容安装时尽量不要靠近功率器件和发热源，同时通风良好。多个电容安装在一起时，电容之间应当留有空隙。不同外形尺寸的电容间距离为φ40以上>5mm, φ18～35应>3mm，φ6～16为>2mm。

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